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分立半导体

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FCAB21350L1

  • Panasonic
  • 最新
  • MOSFET Wide Pad Dual Nchannel MOSFET
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数量单价合计
1
¥13.3679
13.3679
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.379
937.9
500
¥7.2433
3621.65
1,000
¥5.5596
5559.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
12 A, 27 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
450 mW, 2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
FCAB
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Panasonic
下降时间
5 us
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 us
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 us
典型接通延迟时间
1.2 us
商品其它信息
优势价格,FCAB21350L1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:109900
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥15.5262
250:¥15.0629
参考库存:8157
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
参考库存:3214
分立半导体
MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
4,800:¥8.1473
参考库存:22746
分立半导体
MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
1,000:¥6.102
参考库存:15393
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