CSD87350Q5D详细参数_参考价格_CSD87350Q5D PDF资料_Texas Instruments

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LSON-CLIP-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	40 A
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压	5 V
Qg-栅极电荷	8.4 nC, 20 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	12 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.5 mm
长度	6 mm
系列	CSD87350Q5D
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Synchronous Buck MOSFET Driver
宽度	5 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	97 S, 157 S
开发套件	TPS53819AEVM-123
下降时间	2.3 ns, 4.7 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	17 ns, 10 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	13 ns, 33 ns
典型接通延迟时间	7 ns, 8 ns
单位重量	162 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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