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分立半导体
RTL020P02FRATR参考图片

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RTL020P02FRATR

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET Pch -20V Vds -2A 0.18Rds(on) 4.9Qg
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
3,000
¥0.95259
2857.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TUMT-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
4.9 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
RTL020P02FRA
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 600V COOLiRIGBT
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.172
100:¥43.5728
参考库存:6385
分立半导体
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥74.0715
10:¥66.9299
25:¥63.8563
100:¥55.4039
参考库存:8387
分立半导体
IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
1:¥1,174.7254
参考库存:4499
分立半导体
MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:9141
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:54393
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