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分立半导体
T1G2028536-FL参考图片

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T1G2028536-FL

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 275 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1111394
商品其它信息
优势价格，T1G2028536-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ5229BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 4.3V 200mW
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:20442
FDS6682
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SO-8
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
2,500:¥4.2375
10,000:查看
参考库存:21474
1N3595
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Hi Conductance Fast
1:¥1.6159
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.31527
参考库存:146021
DDZ9711-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 500MW 27V LF
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:73173
MMDL301T1G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.28476
参考库存:61215
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