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分立半导体
MRFE6VP61K25HR6参考图片

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MRFE6VP61K25HR6

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,342.553
1342.553
5
¥1,312.6532
6563.266
10
¥1,285.8383
12858.383
25
¥1,266.8656
31671.64
150
¥1,220.9085
183136.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 uA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
24 dB
输出功率
1.25 kW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz, 600 MHz
系列
MRFE6VP61K25H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314411128
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6VP61K25HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHD3N50DT5-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
3,000:¥2.6103
6,000:¥2.4295
12,000:¥2.3391
27,000:¥2.2487
参考库存:39304
T1035-6G-TR
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 10A Snubberless Triac in Surface Mount Package
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0116
500:¥5.3223
1,000:¥4.1923
参考库存:4025
BZG05B82-HM3-18
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分立半导体
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6,000:¥1.4012
12,000:¥1.3108
24,000:¥1.243
参考库存:39311
VS-VSKL136/04PBF
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15:¥489.5499
30:¥473.7977
60:¥467.4923
105:¥442.2142
参考库存:39316
GL41BHE3/97
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
10,000:¥0.89157
25,000:¥0.82264
参考库存:39321
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