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分立半导体
SQD50N04-5M6_GE3参考图片

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SQD50N04-5M6_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
2,000
¥5.6048
11209.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SQD50N04-5M6_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZ1SMA5933BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN SMA REG 1.5W 22V TR
1:¥5.0737
10:¥4.1923
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
5,000:¥1.8306
参考库存:14484
RAL025P01TCR
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
1:¥3.5369
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:14201
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-CHAN 30V 100A
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
1,500:¥3.4804
参考库存:4153
MSB92AWT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:148035
B220AF-13
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥3.3787
10:¥2.147
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:53052
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