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分立半导体
MRFE6VP61K25HR5参考图片

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MRFE6VP61K25HR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,330.9479
1330.9479
5
¥1,298.9011
6494.5055
10
¥1,266.7074
12667.074
25
¥1,248.9551
31223.8775
50
¥1,248.9551
62447.755
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 uA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
24 dB
输出功率
1.25 kW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz, 600 MHz
系列
MRFE6VP61K25H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314411178
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6VP61K25HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4581-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥91.2814
10:¥82.1397
25:¥74.8399
100:¥67.5401
参考库存:4567
AS1PM-M3/84A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.5A 1000V
1:¥5.4579
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
3,000:¥1.7741
6,000:查看
参考库存:61404
FDC6306P
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
参考库存:4721
STL73
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:28313
MG1250S-BA1MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 1200V 50A Dual
1:¥443.8301
5:¥435.6828
10:¥417.7045
25:¥404.6417
参考库存:4410
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