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分立半导体
CSD25310Q2参考图片

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CSD25310Q2

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存：314,660(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.1809
218.09
1,000
¥1.695
1695
3,000
¥1.4464
4339.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
23.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
550 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD25310Q2
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格，CSD25310Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N3637UB/TR
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥2,046.2492
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Microsemi
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2,000:¥5.7743
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10,000:¥5.3449
参考库存:53334
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