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分立半导体
TC6321T-V/9U参考图片

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TC6321T-V/9U

  • Microchip Technology
  • 最新
  • MOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR
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¥11.30
11.3
10
¥11.1418
111.418
25
¥9.379
234.475
100
¥8.5315
853.15
3,300
¥8.5315
28153.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VDFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
7 Ohms, 8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TC6321
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Microchip Technology
下降时间
15 ns, 15 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 15 ns
工厂包装数量
3300
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 10 ns
商品其它信息
优势价格,TC6321T-V/9U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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