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分立半导体
STGWT20H65FB参考图片

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STGWT20H65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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库存:10,997(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
168 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT20H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
PIN 二极管 PIN 50V 100MA
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.59212
参考库存:30024
分立半导体
MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 21.5A 5-Pin
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.441
500:¥5.6952
1,000:¥4.4974
1,500:¥4.4974
参考库存:3706
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 1A 15V
1:¥3.6838
10:¥3.0849
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
参考库存:13763
分立半导体
肖特基二极管与整流器 AF SCHOTTKY DIODE
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:18675
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V
1:¥4.3053
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7176
2,000:¥1.4577
参考库存:20222
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