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分立半导体
STGWT20H65FB参考图片

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STGWT20H65FB

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
168 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，STGWT20H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFU8405
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.65mOhm 100A
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:13484
SBRT20M60SP5-7
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A Trench SBR 60V 20A 0.57Vf 0.18mA
1:¥6.5314
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
1,500:¥2.9945
参考库存:12546
NTMFS4C03NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,500:¥2.6555
9,000:查看
参考库存:42993
MA4P4001B-402
MACOM
分立半导体
PIN 二极管
1:¥94.2872
10:¥88.14
25:¥82.377
50:¥76.9982
参考库存:5415
MMBTA55LT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 60V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:331497
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