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分立半导体
T1G2028536-FS参考图片

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T1G2028536-FS

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:11432
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:53144
分立半导体
MOSFET NFET 30V 1.6A 0.100
1:¥5.1528
10:¥4.3279
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
3,000:¥2.2374
参考库存:18186
分立半导体
MOSFET LOW VOLTAGE
1:¥6.4523
10:¥5.4127
100:¥3.4917
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.3617
参考库存:11613
分立半导体
整流器 2x8 Amp 600 Volt
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:8075
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