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分立半导体

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MRF6V2150NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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数量单价合计
1
¥465.0402
465.0402
5
¥451.5141
2257.5705
10
¥441.83
4418.3
25
¥423.3093
10582.7325
500
¥364.0634
182031.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
25 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Drain Dual Gate
高度
2.64 mm
长度
17.58 mm
工作频率
220 MHz
系列
MRF6V2150N
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.62 V
零件号别名
935316842528
单位重量
1.646 g
商品其它信息
优势价格，MRF6V2150NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3168R
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100:¥984.9306
参考库存:42320
JAN1N5312-1
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6,000:¥0.79891
9,000:¥0.72998
24,000:¥0.71416
参考库存:42330
2N3810L
Microsemi
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100:¥132.1648
250:¥121.4072
500:¥111.8022
参考库存:42335
1N4683/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥31.0411
230:¥31.0411
500:¥27.8206
1,000:¥23.5153
2,500:¥22.2836
参考库存:42340
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