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分立半导体
SQ3419EV-T1_GE3参考图片

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SQ3419EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
6.9 A
Rds On-漏源导通电阻
48 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格，SQ3419EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRLR3705Z
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
3,000:¥7.4693
6,000:¥7.1868
9,000:¥6.9156
参考库存:36594
R3000-B
Rectron
分立半导体
整流器 200mA 3000V
15,000:¥1.2091
参考库存:36599
ACST610-8R
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 Overvoltage Triac Low <10mA 1500 rms
1:¥16.2946
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:6893
BC817-16
Taiwan Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.17628
参考库存:36606
2N5886
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥289.2235
250:¥264.3296
参考库存:36611
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