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分立半导体
CSD18563Q5AT参考图片

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CSD18563Q5AT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 60V NCh NexFET Power MOSFET
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库存:52,616(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6106
861.06
250
¥8.6106
2152.65
500
¥7.5823
3791.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
116 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.75 mm
系列
CSD18563Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
NexFET Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
TPS40170EVM-597
下降时间
1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.4 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
单位重量
86.200 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18563Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥5.763
10:¥4.746
100:¥3.0623
1,000:¥2.4521
参考库存:51478
分立半导体
桥式整流器 40A 800V
1:¥33.0412
10:¥28.6568
50:¥23.2102
100:¥19.8993
500:¥16.7466
参考库存:10218
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V IO=10A
1:¥8.1473
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
800:¥3.4917
参考库存:51485
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:51490
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,60V,SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥6.9156
10:¥6.0681
25:¥5.5144
100:¥4.7912
800:¥2.7572
2,400:查看
参考库存:51495
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