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分立半导体
NVMFS6H858NT1G参考图片

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NVMFS6H858NT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET TRENCH 8 80V NFET
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数量单价合计
1,500
¥7.4354
11153.1
4,500
¥7.1642
32238.9
9,000
¥6.8817
61935.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
20.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFS6H858NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V PNP
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:228187
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.5W 2%
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:70069
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 1.3 Watt
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.72998
500:¥0.62263
5,000:¥0.32318
10,000:查看
参考库存:138496
分立半导体
分立半导体模块 200A, 1600V Thyristor Module
1:¥425.9987
5:¥416.857
10:¥400.1782
25:¥382.1208
参考库存:2688
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 1.3 Watt
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.72998
500:¥0.62263
5,000:¥0.32318
10,000:查看
参考库存:99240
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