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分立半导体
SQS462EN-T1_GE3参考图片

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SQS462EN-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥7.4806
74.806
100
¥5.9551
595.51
500
¥4.6669
2333.45
3,000
¥3.3787
10136.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，SQS462EN-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PLVA665A,215
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.5989
参考库存:19387
M1MA151WAT1G
ON Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 40V TR
1:¥1.3108
10:¥1.1413
100:¥0.4068
1,000:¥0.26894
3,000:¥0.20792
参考库存:121024
BAP51-06W,115
NXP Semiconductors
分立半导体
PIN 二极管 50V 50mA Single
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:23941
APT15DQ120BG
Microsemi
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥22.3627
10:¥18.0574
100:¥14.4414
250:¥13.673
参考库存:3053
BFR 182W H6327
Infineon Technologies
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.7686
10:¥3.1866
100:¥1.7854
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:20105
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