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分立半导体
VB30120C-E3/4W参考图片

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VB30120C-E3/4W

  • Vishay Semiconductors
  • 最新
  • 肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
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数量单价合计
1,000
¥6.7122
6712.2
2,000
¥6.2489
12497.8
5,000
¥6.0116
30058
10,000
¥5.7856
57856
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
肖特基二极管与整流器
RoHS
产品
Schottky Rectifiers
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK (TO-263AB)
If - 正向电流
30 A
Vrrm - 重复反向电压
120 V
Vf - 正向电压
0.97 V
Ifsm - 正向浪涌电流
150 A
配置
Dual Common Cathode
技术
Si
Ir - 反向电流
800 uA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
Vx30xx0x
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.45 mm
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Schottky Diode
宽度
9.14 mm
商标
Vishay Semiconductors
产品类型
Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量
1000
子类别
Diodes & Rectifiers
商标名
TMBS
单位重量
1.380 g
商品其它信息
优势价格,VB30120C-E3/4W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 2400 Volt 2100 Amp
1:¥1,555.4676
5:¥1,518.0533
10:¥1,480.4017
25:¥1,459.6549
参考库存:42445
分立半导体
MOSFET T5 100V LL S08FL
1,500:¥16.0573
4,500:¥15.4471
参考库存:42450
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
1:¥28.4308
10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
参考库存:42455
分立半导体
分立半导体模块 1200 Volt 95 Amp 2094 Amp ITSM
1:¥356.9218
5:¥347.475
10:¥334.028
25:¥308.8968
参考库存:42460
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:5038
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