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分立半导体

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VS-GB75TP120N

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB75TP120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 1.5W,20V 5%,SMB ZENER
7,500:¥0.94468
9,750:¥0.88366
24,750:¥0.81473
参考库存:43098
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD80 MINIMELF-e2
12,500:¥0.84524
25,000:¥0.77631
参考库存:43103
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.198
4,500:¥5.0059
9,000:¥4.8025
参考库存:43108
分立半导体
整流器 2A,150V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD
4,500:¥1.5255
9,750:¥1.4238
24,750:¥1.356
参考库存:43113
分立半导体
双向可控硅 ACTT2X-800ETN/TO-220F/STANDARD M
5,000:¥1.7289
10,000:¥1.6611
25,000:¥1.5933
50,000:¥1.5707
参考库存:43118
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