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分立半导体
FS50R06W1E3_B11参考图片

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FS50R06W1E3_B11

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数量单价合计
1
¥278.7032
278.7032
5
¥275.7765
1378.8825
10
¥257.0298
2570.298
25
¥245.5038
6137.595
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
205 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R06W1E3B11BOMA1 SP000790740
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS50R06W1E3_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A,40V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥5.2206
10:¥4.3844
25:¥3.8533
100:¥3.3109
3,000:¥1.6611
6,000:查看
参考库存:55951
分立半导体
稳压二极管 1W,200V,5%,ZENER,SMA
1:¥3.9211
10:¥2.3052
100:¥1.8306
500:¥1.08367
1,800:¥0.72207
9,000:查看
参考库存:55956
分立半导体
稳压二极管 0,8W, 62V, ZENER
1:¥4.1471
10:¥2.3843
100:¥1.9323
500:¥1.1413
1,800:¥0.76049
9,000:查看
参考库存:55961
分立半导体
桥式整流器 2.0 Amp 800 Volt 60 Amp IFSM
1:¥5.2206
10:¥4.3844
100:¥3.2996
500:¥2.4182
参考库存:55966
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench Schottky 3amp 45v
1:¥4.1471
10:¥3.2318
100:¥2.2148
500:¥1.5142
3,000:¥1.01474
6,000:查看
参考库存:55971
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