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分立半导体
AFT18S290-13SR3参考图片

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AFT18S290-13SR3

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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数量单价合计
250
¥908.1697
227042.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.2 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-880XS-2L4S
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1995 MHz
系列
AFT18S290_13S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
263 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935317893128
单位重量
9.734 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL4765A/TR
Microsemi
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100:¥413.6252
200:¥390.5054
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SMBJ5941B/TR13
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3,000:¥8.5315
6,000:¥8.2264
9,000:¥7.6388
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2EZ15D2/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥11.9102
8,000:¥11.2209
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分立半导体
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50:¥952.2736
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JAN1N5518DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥295.1447
200:¥275.4714
参考库存:42827
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