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分立半导体
IRGR3B60KD2TRP参考图片

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IRGR3B60KD2TRP

  • Infineon / IR
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数量单价合计
2,000
¥6.8026
13605.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252AA-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
7.8 A
Pd-功率耗散
52 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RC
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001534036
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,IRGR3B60KD2TRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Ultrafast High EFF Recovery Diode
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
3,000:¥9.7632
参考库存:47179
分立半导体
PIN 二极管 .3pF -40C +150C Thrshld Lvl +10 dBm
1:¥14.5996
10:¥13.1419
25:¥11.9102
100:¥10.5994
3,000:¥6.7122
6,000:查看
参考库存:81976
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:16953
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
500:¥18.5207
参考库存:4630
分立半导体
450:¥25.7414
900:¥23.052
1,350:¥19.436
2,700:¥18.5207
参考库存:53197
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