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分立半导体
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CSD25484F4T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.3673
136.73
250
¥1.3673
341.825
1,000
¥1.02943
1029.43
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
825 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.09 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
1 mm
系列
CSD25484F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.6 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格，CSD25484F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B6V2-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5W 2%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:13029
M505015FV
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 50A 1200V SCR CC MODULE POWER
1:¥876.5184
10:¥834.7084
25:¥815.8148
50:¥796.8308
参考库存:3771
MMSZ5227C-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 2%
1:¥2.5312
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:15448
IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.4307
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5265
BTA26-800BWRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 25 Amp 800 Volt
1:¥35.1204
10:¥29.8885
100:¥25.8996
250:¥24.5888
参考库存:6752
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