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分立半导体
DMP3017SFGQ-7参考图片

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DMP3017SFGQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
2,000
¥2.7007
5401.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
940 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3017
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
36.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.4 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45.6 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMP3017SFGQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥2.4634
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100:¥0.80682
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10,000:¥0.30736
20,000:查看
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100:¥0.64523
1,000:¥0.43844
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1:¥7.6049
10:¥6.2037
100:¥4.7686
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1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
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1:¥32.5779
10:¥29.1201
100:¥26.5098
250:¥23.8995
参考库存:6385
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