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分立半导体
MRFE6VP5600HR6参考图片

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MRFE6VP5600HR6

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,020.277
1020.277
5
¥1,000.5359
5002.6795
10
¥967.4947
9674.947
25
¥926.5322
23163.305
150
¥830.7986
124619.79
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310538128
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Rectifier 20V 30A
1:¥3.2318
10:¥2.1018
100:¥1.02943
1,000:¥0.5989
6,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:164474
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 160V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
2,000:¥0.58421
10,000:查看
参考库存:58096
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100mA,30V Sm. Sgnl. Schottky
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
参考库存:20418
分立半导体
肖特基二极管与整流器 High Recovery Speed Low VF
1:¥6.1472
10:¥5.5483
100:¥5.0398
500:¥4.3505
参考库存:2595
分立半导体
整流器 1Amp 600Vrrm 600Vr 420Vrms 30A Ifsm
1:¥4.6895
10:¥3.9776
100:¥2.4973
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.5933
参考库存:8872
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