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分立半导体
CSD87502Q2T参考图片

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CSD87502Q2T

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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.068
40.68
100
¥2.6329
263.29
250
¥2.6329
658.225
1,000
¥2.1018
2101.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.0 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6 nC, 6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD87502Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
75 S, 75 S
下降时间
3 ns, 3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns, 11 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 3 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87502Q2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 800V 10A 50-50-50mA
1:¥17.8992
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:6012
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 15 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
2,500:¥2.8702
10,000:查看
参考库存:7439
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TMBS 45V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
1:¥8.2942
10:¥6.8365
100:¥5.2432
500:¥4.5087
1,000:¥3.5708
2,000:¥3.5708
参考库存:28351
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 11.13-11.71V Ippm 16.8V Max
4,500:¥0.28476
22,500:¥0.28476
参考库存:51685
分立半导体
MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:92923
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