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分立半导体
TK14G65W,RQ参考图片

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TK14G65W,RQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:8,195(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.2099
17.2099
10
¥13.8312
138.312
100
¥11.0627
1106.27
500
¥9.7632
4881.6
1,000
¥8.0682
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13.7 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK14G65W
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK14G65W,RQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 VRM=400 IFSM=40
1:¥9.0626
10:¥8.1473
100:¥7.4354
500:¥6.4184
750:¥5.7404
参考库存:6490
分立半导体
IGBT 晶体管 600V UltraFast 5-40kHz
1:¥47.0984
10:¥42.5671
25:¥40.567
100:¥35.1882
参考库存:6612
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 500mW 2%
1:¥1.7628
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
2,500:¥0.26894
参考库存:23094
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, .1A
1:¥2.9945
10:¥1.921
100:¥0.86784
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.41471
参考库存:6941
CEL
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
1:¥9.1417
10:¥6.9721
100:¥5.0737
500:¥4.3053
参考库存:3663
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