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分立半导体
NGTB30N135IHRWG参考图片

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NGTB30N135IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 1350V/30A IGBT FSII TO-24
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库存:3,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥33.3463
333.463
100
¥28.8941
2889.41
250
¥27.4364
6859.1
500
¥24.5888
12294.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB30N135IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N135IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 6.0A 800V
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
参考库存:6401
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥15.2889
250:¥14.4414
2,500:¥10.4525
5,000:查看
参考库存:3173
分立半导体
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥15.594
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
参考库存:5360
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥30.0467
5:¥28.8941
10:¥27.8206
25:¥25.5154
参考库存:3832
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.6046
参考库存:10634
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