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分立半导体
2SC4083T106P参考图片

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2SC4083T106P

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 11V 50MA
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63054
630.54
3,000
¥0.47686
1430.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
11 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.05 A
增益带宽产品fT
3.2 GHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC4083
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
0.8 mm
长度
2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.25 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
50 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
56
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格，2SC4083T106P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TISP61089ASDR-S
Bourns
分立半导体
SCR Dual P Gate Forward Conducting
1:¥10.5994
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
2,500:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:42734
DMP6050SPS-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:19644
J113
InterFET
分立半导体
JFET N-Ch JFET -35V -3Vds 50mA 360mW 3.27mW
1:¥25.4363
10:¥20.4417
100:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:6481
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥39.0302
10:¥33.1203
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:5543
F1842DH1600
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 40A 600VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥619.4095
10:¥614.8782
25:¥600.7306
50:¥586.5943
100:¥569.5426
参考库存:42745
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