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射频晶体管
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SD1492

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数量单价合计
1
¥1,877.8114
1877.8114
10
¥1,723.137
17231.37
25
¥1,546.405
38660.125
50
¥1,369.673
68483.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
25 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M175
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
310 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,SD1492的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥379.2845
10:¥341.3278
25:¥322.502
50:¥312.897
100:¥238.8933
参考库存:35368
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
1:¥2,764.093
参考库存:1988
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥732.3643
2:¥709.6174
5:¥709.3914
10:¥686.5654
参考库存:2000
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥2.8702
100:¥1.5594
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.94468
参考库存:12252
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V
1,000:¥27.8206
2,000:¥27.1991
参考库存:35379
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