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射频晶体管
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QPD2195SR

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.4 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
400 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2195PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD2195SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA101K02EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥4,926.3706
参考库存:38014
AGR18060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 60Watt Gain 14dB
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5:¥719.2224
10:¥645.456
25:¥571.6896
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MRF151GC
Advanced Semiconductor, Inc.
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15:¥929.764
25:¥899.028
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥360.5378
5:¥324.4908
参考库存:4694
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