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射频晶体管
PTVA101K02EV-V1-R250参考图片

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PTVA101K02EV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥4,926.3706
1231592.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-4
封装
Reel
工作频率
1030 MHz / 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA101K02EV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGH60030D-GP4
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1:¥2,904.6311
5:¥2,859.9848
10:¥2,817.4177
25:¥2,756.635
50:¥2,714.2939
参考库存:36439
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13
1:¥4,367.6647
5:¥4,300.5088
10:¥4,236.4943
25:¥4,145.0547
50:¥4,081.3566
参考库存:3064
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
1:¥150.3013
10:¥138.1538
25:¥132.0857
50:¥124.4017
500:¥100.8186
参考库存:4776
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