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射频晶体管
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MAX2601ESA+

  • Maxim Integrated
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  • 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
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数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
25
¥27.0522
676.305
50
¥23.3571
1167.855
250
¥22.8938
5723.45
1,000
¥20.7468
20746.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Maxim Integrated
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MAX2601
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
高度
1.58 mm
长度
4.98 mm
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.99 mm
商标
Maxim Integrated
最大直流电集电极电流
1.2 A
Pd-功率耗散
6.4 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
MAX2601
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，MAX2601ESA+的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2015UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-500MHz SE
50:¥390.1212
100:¥379.3636
参考库存:37384
VRF2933MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,574.5307
2:¥1,536.6418
5:¥1,514.1322
10:¥1,492.6961
参考库存:4039
MRF151A
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥572.1529
参考库存:4136
PD85015TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:37393
BFP 182W H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:48508
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