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射频晶体管
BFR 182 E6327参考图片

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BFR 182 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.76049
2281.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR182
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.035 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 10 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.035 A
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR182E6327HTSA1 BFR182E6327XT SP000011051
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 182 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 640FESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:24577
BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:47774
PXAC200902FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥408.8679
参考库存:36081
A2T21S260-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,170.0472
参考库存:36086
PXAC261212FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥640.5405
参考库存:36091
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