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射频晶体管
PXAC261212FC-V1-R0参考图片

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PXAC261212FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥640.5405
32027.025
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
280 mA
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
增益
15 dB
输出功率
120 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2496 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.6 V
商品其它信息
优势价格，PXAC261212FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH1090-175L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,835.9336
参考库存:35570
PD57060S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥415.6253
5:¥406.3254
10:¥390.4263
25:¥377.8268
参考库存:35575
BFP405H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:38340
PD55015TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:35582
MS1000
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:35587
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