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射频晶体管
BFP 720FESD H6327参考图片

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BFP 720FESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3674
33.674
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.5933
1593.3
3,000
¥1.356
4068
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP720
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
4.9 V
直流电流增益 hFE 最大值
400
工作频率
43 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP720FESDH6327XTSA1 BFP72FESDH6327XT SP000853562
商品其它信息
优势价格，BFP 720FESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC241002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:36542
1214-55
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,301.7422
2:¥2,246.3383
5:¥2,213.4553
10:¥2,182.0978
参考库存:36547
CGHV27060MP
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
1:¥775.9258
250:¥775.9258
参考库存:4247
MMRF1317HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,321.7076
参考库存:36554
PTFB192503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:36559
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