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射频晶体管
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MMRF1317HR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317H/CFM4F///REEL 13
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¥4,321.7076
216085.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
18.2 dB
输出功率
1.3 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.02 GHz to 1.1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
869 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935318748178
单位重量
13.193 g
商品其它信息
优势价格，MMRF1317HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1007HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,765.0744
参考库存:36829
2731-100M
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20:¥2,608.492
参考库存:36834
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射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
10,000:¥0.9379
参考库存:53399
A3T18H455W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥873.7499
参考库存:36841
MRFE6VP8600HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:4261
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