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射频晶体管
BFR182E6327HTSA1参考图片

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BFR182E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.76049
2281.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR182
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
182 BFR BFR182E6327XT E6327 SP000011051
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR182E6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.4577
参考库存:24247
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
1:¥185.5686
25:¥160.5165
100:¥138.8544
250:¥129.0912
参考库存:6599
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥219.9884
5:¥217.7623
10:¥202.9367
25:¥193.8628
600:¥157.3638
参考库存:9301
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
1:¥100.0502
10:¥92.0498
25:¥87.9818
100:¥77.6875
1,000:¥61.5511
参考库存:8758
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥354.4584
250:¥354.4584
参考库存:7470
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