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射频晶体管
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SD1224-02

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数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M113
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
60 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，SD1224-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
0910-150M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,786.3766
参考库存:36617
JANTXV2N2857UB/TR
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥578.6843
参考库存:36622
MHT2025GNR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥211.9993
参考库存:36627
BFR 840L3RHESD E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
15,000:¥1.4464
45,000:¥1.4012
参考库存:36632
D2008UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE
120:¥213.6152
270:¥208.6206
参考库存:36637
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