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射频晶体管
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SD1015-06

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数量单价合计
1
¥751.111
751.111
10
¥689.2548
6892.548
25
¥618.562
15464.05
50
¥547.8692
27393.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
M135
封装
Tray
工作频率
150 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，SD1015-06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8VP13350NR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,019.9719
参考库存:35940
PXFC191507FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:35945
PTFC270051M-V2-R1K
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1,000:¥60.2403
参考库存:35950
2735GN-35M
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10:¥1,967.7933
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50:¥1,807.8192
参考库存:35955
ARF475FL
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥740.3534
2:¥717.3805
5:¥717.1432
10:¥694.0234
参考库存:2630
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