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射频晶体管
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NPT2021

  • MACOM
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥562.0846
562.0846
2
¥552.9429
1105.8858
5
¥541.1118
2705.559
10
¥532.4221
5324.221
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
14.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
14 mA
输出功率
45 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
TO-272
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，NPT2021的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DU1215S
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥360.5378
5:¥324.4908
参考库存:4694
MMRF5014H-200MHZ
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-200MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:38036
BFP620H7764XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:15926
D2004UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
50:¥673.9659
100:¥655.3661
参考库存:38043
MAPRST1214-150UF
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 150W Gain: 7.4dB
20:¥2,480.3952
参考库存:38048
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