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射频晶体管
NSVF6003SB6T1G参考图片

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NSVF6003SB6T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
3,000
¥2.0905
6271.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CPH-6
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
150 mA
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSVF6003SB6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
5:¥2,767.1666
参考库存:36999
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500:¥487.3238
参考库存:37004
射频晶体管
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100:¥206.7787
参考库存:37009
射频晶体管
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1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:21869
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:72286
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