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射频晶体管

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AFT18H357-24SR6

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V
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数量单价合计
1
¥1,321.1056
1321.1056
5
¥1,291.6013
6458.0065
10
¥1,265.1706
12651.706
25
¥1,246.503
31162.575
150
¥1,174.2734
176141.01
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Cut Tape
封装
Reel
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
零件号别名
935320362128
单位重量
8.604 g
商品其它信息
优势价格,AFT18H357-24SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥83.0663
10:¥76.3767
25:¥72.998
100:¥64.5456
1,000:¥51.0986
参考库存:10189
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,224.6714
10:¥1,123.785
25:¥1,008.525
50:¥893.265
参考库存:6281
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:81238
射频晶体管
光学传感器开发工具 RB-SERIES 1MM 35U SMA
1:¥1,392.725
参考库存:6275
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥207.468
10:¥191.874
25:¥184.1109
50:¥176.3478
100:¥163.8952
参考库存:6362
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