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射频晶体管
BFR380L3E6327XTMA1参考图片

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BFR380L3E6327XTMA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.2487
22.487
100
¥1.03734
103.734
1,000
¥0.79891
798.91
15,000
¥0.5763
8644.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR380L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
14 GHz
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
380L3 BFR BFR38L3E6327XT E6327 SP000013562
商品其它信息
优势价格，BFR380L3E6327XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1K50H-TF4
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:2485
PTAC260302FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥500.5335
参考库存:35862
MRFE6VP5300GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
1:¥513.7545
5:¥498.7707
10:¥488.0922
25:¥467.5714
500:¥402.0992
参考库存:35867
BFR 380F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3504
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:242482
SD3931-10
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥615.0251
5:¥603.7364
10:¥576.6051
25:¥557.316
参考库存:35874
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