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射频晶体管
MRF1535FNT1参考图片

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MRF1535FNT1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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500
¥145.996
72998
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-6
封装
Reel
配置
Single Quad Source
高度
2.69 mm
长度
23.72 mm
系列
MRF1535N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.45 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
135 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
零件号别名
935310275528
单位重量
1.279 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFC262157FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥945.6744
参考库存:35735
AGR09030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:35740
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:21220
A2T18S162W31SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥768.7842
参考库存:35747
BFP 640F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
3,000:¥1.1639
参考库存:17362
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