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射频晶体管
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BLV11

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1
¥576.30
576.3
10
¥480.25
4802.5
25
¥432.225
10805.625
50
¥384.20
19210
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
250 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGHV50200F
Wolfspeed / Cree
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暂无价格
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T1G4020036-FS
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暂无价格
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D1213UK
Semelab / TT Electronics
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100:¥325.7225
250:¥318.0385
参考库存:39847
PTVA120501EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥640.4614
参考库存:39852
MRF085HR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
1:¥1,121.5589
5:¥1,099.7386
10:¥1,063.4656
25:¥1,018.4351
50:¥1,004.457
参考库存:6717
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