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射频晶体管
MRF173参考图片

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MRF173

  • MACOM
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
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349.2378
10
¥326.57
3265.7
25
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50
¥302.0603
15103.015
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
80 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF173的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1019NR4
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7
1:¥586.8994
5:¥569.7686
10:¥557.5533
25:¥534.1962
100:¥495.0078
参考库存:7291
AFT20P060-4GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V
1:¥307.0549
5:¥291.5287
10:¥286.455
25:¥259.7192
250:¥229.9098
参考库存:40183
TGF2060
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
100:¥56.3192
300:¥52.6354
500:¥49.1776
1,000:¥45.9458
参考库存:7298
PTVA120251EA-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥591.2047
参考库存:40190
MRFE6VS25NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
1:¥215.5362
5:¥213.3101
10:¥198.8574
25:¥189.953
500:¥154.1433
参考库存:9785
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