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射频晶体管
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MRFE6VS25NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
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10
¥198.8574
1988.574
25
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500
¥154.1433
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
27 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 2000 MHz
系列
MRFE6VS25N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935319933528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
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