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射频晶体管
BFT25A,215参考图片

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BFT25A,215

  • NXP Semiconductors
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  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 5V 5GHZ
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6272
4881.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
6.5 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
8 V
直流电流增益 hFE 最大值
50
高度
1 mm
长度
3 mm
工作频率
5000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
5000 MHz
最大直流电集电极电流
0.0065 A
Pd-功率耗散
32 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934008580215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFT25A,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-28V-1GHz SE
100:¥131.5546
250:¥131.0122
500:¥130.7071
参考库存:35161
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥139.5437
10:¥128.3228
25:¥123.0231
100:¥108.3444
600:¥96.4342
参考库存:35166
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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:47296
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:20118
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.0227
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:16535
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