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射频晶体管
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MRF1004MB

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1
¥571.5314
571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
250 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
332A-03
封装
Tray
工作频率
1090 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF1004MB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1025
Qorvo
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100:¥0.9831
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MRF6V12500HSR5
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50:¥2,720.9835
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2731GN-200M
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参考库存:40044
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Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:40049
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