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射频晶体管
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BLV33

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数量单价合计
1
¥898.1014
898.1014
10
¥824.109
8241.09
25
¥739.585
18489.625
50
¥655.061
32753.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
12.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-147
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
132 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV33的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MZ0912B50Y
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
10:¥2,382.04
25:¥2,151.52
参考库存:35771
AFT21S232SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
250:¥714.838
参考库存:35776
PD57030-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥335.2484
2:¥331.5646
5:¥327.8017
10:¥312.8179
参考库存:2716
ITC1100
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,308.6448
参考库存:35783
MRF157
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
1:¥3,621.9325
10:¥3,565.9184
参考库存:2438
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